MOS эсвэл SBD үйлдвэрлэлийн судалгаа, дамми зэрэгт зориулагдсан 6 инчийн 150 мм Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N төрлийн

MOS эсвэл SBD үйлдвэрлэлийн судалгаанд зориулагдсан 6 инчийн 150 мм Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N төрөл ба дамми зэрэглэлийн Онцлох зураг

Товч тодорхойлолт:

6 инчийн цахиурын карбидын нэг талст субстрат нь физик, химийн маш сайн шинж чанартай, өндөр үзүүлэлттэй материал юм.Өндөр цэвэршилттэй цахиур карбидын дан болор материалаар хийгдсэн бөгөөд энэ нь дээд зэргийн дулаан дамжуулалт, механик тогтвортой байдал, өндөр температурт тэсвэртэй байдлыг харуулдаг.Нарийвчлалтай үйлдвэрлэлийн процесс, өндөр чанартай материалаар хийгдсэн энэхүү субстрат нь янз бүрийн салбарт өндөр үр ашигтай электрон төхөөрөмжийг үйлдвэрлэхэд илүүд үздэг материал болжээ.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Хэрэглээний талбарууд

6 инчийн цахиурын карбидын нэг талст субстрат нь олон салбарт чухал үүрэг гүйцэтгэдэг.Нэгдүгээрт, энэ нь хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд эрчим хүчний транзистор, нэгдсэн хэлхээ, тэжээлийн модуль зэрэг өндөр хүчин чадалтай электрон төхөөрөмжүүдийг үйлдвэрлэхэд өргөн хэрэглэгддэг.Түүний өндөр дулаан дамжуулалт, өндөр температурын эсэргүүцэл нь дулааныг илүү сайн тарааж, үр ашиг, найдвартай байдлыг сайжруулдаг.Хоёрдугаарт, цахиурын карбид хавтан нь шинэ материал, төхөөрөмж боловсруулах судалгааны салбарт зайлшгүй шаардлагатай.Нэмж дурдахад цахиурын карбид хавтан нь оптоэлектроникийн салбарт өргөн хүрээний хэрэглээ, түүний дотор LED болон лазер диод үйлдвэрлэхэд ашигладаг.

Бүтээгдэхүүний техникийн үзүүлэлтүүд

6 инчийн цахиурын карбидын нэг талст субстрат нь 6 инч (ойролцоогоор 152.4 мм) диаметртэй.Гадаргуугийн тэгш бус байдал нь Ra < 0.5 нм, зузаан нь 600 ± 25 μм байна.Хэрэглэгчийн шаардлагад үндэслэн субстратыг N-төрөл эсвэл P-төрлийн дамжуулалтаар тохируулж болно.Түүнээс гадна энэ нь даралт, чичиргээг тэсвэрлэх чадвартай, онцгой механик тогтвортой байдлыг харуулдаг.

Диаметр		150±2.0мм（6инч）
Зузаан		350 μm±25μm
Баримтлал		Тэнхлэг дээр: <0001>±0.5°		Унтраах тэнхлэг: 4.0°-аас 1120±0.5° хүртэл
Политип		4H
Эсэргүүцэл (Ω·см)	4H-N	0.015~0.028 Ом·см/0.015~0.025ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Үндсэн хавтгай чиг баримжаа		{10-10}±5.0°
Үндсэн хавтгай урт (мм)		47.5 мм±2.5 мм
Ирмэг		Хагархай
TTV/Num/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM урд (си-нүүр)		Польшийн Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0.5 нм
LTV		≤3μm(10мм*10мм)	≤5μm(10мм*10мм)		≤10μm(10мм*10мм)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Жүржийн хальс/цоорхой/хагарал/бохирдол/толбо/зураас		Байхгүй	Байхгүй		Байхгүй
догол мөр		Байхгүй	Байхгүй		Байхгүй

6 инчийн цахиур карбидын нэг талст субстрат нь хагас дамжуулагч, судалгаа шинжилгээ, оптоэлектроникийн салбарт өргөн хэрэглэгддэг өндөр хүчин чадалтай материал юм.Энэ нь маш сайн дулаан дамжуулалт, механик тогтвортой байдал, өндөр температурт тэсвэртэй тул өндөр хүчин чадалтай электрон төхөөрөмж үйлдвэрлэх, шинэ материалын судалгаа хийхэд тохиромжтой.Бид хэрэглэгчийн янз бүрийн эрэлт хэрэгцээг хангахын тулд янз бүрийн үзүүлэлтүүд болон тохируулгын сонголтуудыг санал болгодог.Цахиурын карбидын хавтанцарын талаар дэлгэрэнгүй мэдээлэл авахыг хүсвэл бидэнтэй холбоо барина уу!