4 инчийн SiC Wafers 6H Хагас тусгаарлагч SiC субстрат.

4 инчийн SiC хавтанцар 6H Хагас тусгаарлагч SiC субстрат, судалгааны болон дамми зэрэглэлийн Онцлох зураг

Товч тодорхойлолт:

Хагас дулаалгатай цахиурын карбидын талстыг ургуулсаны дараа зүсэх, нунтаглах, өнгөлөх, цэвэрлэх болон бусад боловсруулалтын технологиор хагас дулаалгатай цахиурын карбидын субстрат үүсдэг.Чанарын шаардлага хангасан субстрат дээр давхарга эсвэл олон давхаргат болор давхарга ургуулж, дараа нь хэлхээний дизайн, савлагааг хослуулан богино долгионы RF төхөөрөмжийг хийдэг.2 инч 3 инч 4 инч 6 инч 8 инчийн үйлдвэрлэлийн, судалгаа шинжилгээний болон туршилтын зэрэглэлийн хагас дулаалгатай цахиур карбидын нэг талст субстрат хэлбэрээр авах боломжтой.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Бүтээгдэхүүний үзүүлэлт

Зэрэг			Тэг MPD үйлдвэрлэлийн зэрэг (Z зэрэг)			Стандарт үйлдвэрлэлийн зэрэг (P зэрэг)		Дамми зэрэг (D зэрэг)
Диаметр			99.5 мм~100.0 мм
	4H-SI		500 мкм±20 мкм			500 мкм±25 мкм
Өрөөний баримжаа			Унтраах тэнхлэг : 4H-N-ийн хувьд 4.0°< 1120 > ±0.5°, тэнхлэгт : 4H-SI-д <0001>±0.5°
	4H-SI		≤1см^-2			≤5 см^-2		≤15 см^-2
	4H-SI		≥1E9 Ом·см					≥1E5 Ω·см
Анхан шатны хавтгай чиг баримжаа		{10-10} ±5.0°
Үндсэн хавтгай урт		32.5 мм±2.0 мм
Хоёрдогч хавтгай урт		18.0 мм±2.0 мм
Хоёрдогч хавтгай чиг баримжаа		Цахиур дээшээ: 90° CW.Prime flat-аас ±5.0°
Ирмэгийг хасах		3 мм
LTV/TTV/Нум /Warp		≤3 μм/≤5 μм/≤15 μм/≤30 мкм						≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм
Барзгар байдал			C нүүр				Польш		Ra≤1 нм
			Си царай	CMP	Ra≤0.2 нм					Ra≤0.5 нм
Өндөр эрчимтэй гэрлээр ирмэгийн хагарал		Байхгүй						Хуримтлагдсан урт ≤ 10 мм, ганц урт≤2 мм
Өндөр эрчимтэй гэрлээр зургаан өнцөгт хавтангууд		Хуримтлагдсан талбай ≤0.05%						Хуримтлагдсан талбай ≤0.1%
Өндөр эрчимтэй гэрлээр олон төрлийн талбайнууд		Байхгүй						Хуримтлагдсан талбай≤3%
Харагдах нүүрстөрөгчийн орц		Хуримтлагдсан талбай ≤0.05%						Хуримтлагдсан талбай ≤3%
Өндөр эрчимтэй гэрлээр цахиурын гадаргуу зураас		Байхгүй						Хуримтлагдсан урт≤1＊өрсөгний диаметр
Ирмэгийн чипс өндөр эрчимтэй гэрлээр		≥0.2 мм өргөн ба гүнийг зөвшөөрөхгүй						5 зөвшөөрөгдөх, тус бүр ≤1 мм
Өндөр эрчимтэй цахиурын гадаргуугийн бохирдол		Байхгүй
Сав баглаа боодол		Олон талт өрөмтэй кассет эсвэл нэг вафлай сав