Вафер зөөвөрлөх зориулалттай SiC керамик төгсгөлийн эффекторын гар

Ваферийн зөөврийн зориулалттай SiC керамик төгсгөлийн эффекторын гар Онцлох зураг

Товч тайлбар:

LiNbO₃ Ваферууд нь нэгдсэн фотоник болон нарийвчлалтай акустикийн алтан стандартыг төлөөлж, орчин үеийн оптоэлектроник системд хосгүй гүйцэтгэлийг бий болгодог. Тэргүүлэх үйлдвэрлэгчийн хувьд бид эдгээр инженерчлэлийн субстратыг уурын тээвэрлэлтийн тэнцвэржүүлэлтийн дэвшилтэт техникээр үйлдвэрлэх урлагийг төгөлдөржүүлж, 50/см²-ээс доош согогийн нягтралтай салбартаа тэргүүлэгч талстлаг төгс төгөлдөр байдлыг бий болгосон.

XKH үйлдвэрлэлийн хүчин чадал нь 75 мм-ээс 150 мм хүртэлх диаметртэй бөгөөд нарийн чиглэлийн хяналт (X/Y/Z-тайралт ±0.3°) болон ховор элементийг багтаасан тусгай хольцын сонголттой. LiNbO₃ вафлины өвөрмөц шинж чанаруудын хослол - түүний дотор гайхалтай r₃₃ коэффициент (32±2 pm/V) болон хэт ягаан туяанаас дунд хэт ягаан туяа хүртэл өргөн тунгалаг байдал нь тэдгээрийг дараагийн үеийн фотоны хэлхээ болон өндөр давтамжийн акустик төхөөрөмжүүдэд зайлшгүй шаардлагатай болгодог.

Бидэнд имэйл илгээх

Онцлог шинж чанарууд

SiC керамик төгсгөлийн эффекторын товч агуулга

SiC (Цахиурын карбид) керамик төгсгөлийн эффектор нь хагас дамжуулагч үйлдвэрлэл болон дэвшилтэт бичил үйлдвэрлэлийн орчинд ашиглагддаг өндөр нарийвчлалтай вафли боловсруулах системд чухал бүрэлдэхүүн хэсэг юм. Хэт цэвэр, өндөр температуртай, өндөр тогтвортой орчны шаардлагуудыг хангахаар зохион бүтээгдсэн энэхүү мэргэшсэн төгсгөлийн эффектор нь литографи, сийлбэр, тунадасжуулалт зэрэг үйлдвэрлэлийн гол үе шатуудын үед вафлиг найдвартай, бохирдолгүй тээвэрлэх боломжийг олгодог.

Цахиурын карбидын өндөр дулаан дамжуулалт, хэт хатуулаг, маш сайн химийн идэвхгүй байдал, хамгийн бага дулааны тэлэлт зэрэг давуу талтай материалын шинж чанаруудыг ашиглан SiC керамик төгсгөлийн эффектор нь хурдан дулааны мөчлөг эсвэл зэврэлтийн процессын камерт ч гэсэн хосгүй механик хатуулаг, хэмжээст тогтвортой байдлыг хангадаг. Түүний бага хэмжээний бөөмс үүсэх болон плазмын эсэргүүцлийн шинж чанарууд нь үүнийг цэвэр өрөө болон вакуум боловсруулалтын хэрэглээнд онцгой тохиромжтой болгодог бөгөөд энд ваферийн гадаргуугийн бүрэн бүтэн байдлыг хадгалах, бөөмсийн бохирдлыг бууруулах нь хамгийн чухал юм.

SiC керамик төгсгөлийн эффекторын хэрэглээ

1. Хагас дамжуулагч вафлийн боловсруулалт

SiC керамик төгсгөлийн эффекторуудыг хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд автоматжуулсан үйлдвэрлэлийн явцад цахиурын вафлитай харьцахад өргөн ашигладаг. Эдгээр төгсгөлийн эффекторуудыг ихэвчлэн робот гар эсвэл вакуум дамжуулах систем дээр суурилуулдаг бөгөөд 200мм ба 300мм гэх мэт янз бүрийн хэмжээтэй вафлитай ажиллахад зориулагдсан байдаг. Эдгээр нь өндөр температур, вакуум нөхцөл, идэмхий хий түгээмэл байдаг химийн уурын хуримтлал (CVD), физик уурын хуримтлал (PVD), сийлбэр, диффуз зэрэг процессуудад зайлшгүй шаардлагатай байдаг. SiC-ийн онцгой дулааны эсэргүүцэл ба химийн тогтвортой байдал нь ийм хатуу ширүүн орчинд задралгүйгээр тэсвэрлэхэд тохиромжтой материал болгодог.

2. Цэвэр өрөө болон вакуумтай нийцтэй байдал

Цэвэр өрөө болон вакуум орчинд бөөмсийн бохирдлыг хамгийн бага байлгах шаардлагатай нөхцөлд SiC керамик нь мэдэгдэхүйц давуу талтай. Материалын нягт, гөлгөр гадаргуу нь бөөм үүсэхээс сэргийлж, тээвэрлэлтийн явцад вафийн бүрэн бүтэн байдлыг хадгалахад тусалдаг. Энэ нь SiC төгсгөлийн эффекторуудыг цэвэр байдал чухал ач холбогдолтой Хэт ягаан туяаны литографи (EUV) болон Атомын давхаргын тунадасжилт (ALD) зэрэг чухал процессуудад онцгой тохиромжтой болгодог. Цаашилбал, SiC-ийн бага хий ялгаруулалт болон өндөр плазмын эсэргүүцэл нь вакуум камерт найдвартай ажиллагааг хангаж, багаж хэрэгслийн ашиглалтын хугацааг уртасгаж, засвар үйлчилгээний давтамжийг бууруулдаг.

3. Өндөр нарийвчлалтай байршил тогтоох системүүд

Нарийвчлал ба тогтвортой байдал нь дэвшилтэт вафли боловсруулах системд, ялангуяа хэмжил зүй, үзлэг, тохируулгын тоног төхөөрөмжид чухал ач холбогдолтой. SiC керамик нь дулааны тэлэлтийн маш бага коэффициент болон өндөр хатуулагтай тул эцсийн эффектор нь дулааны мөчлөг эсвэл механик ачааллын үед ч бүтцийн нарийвчлалаа хадгалах боломжийг олгодог. Энэ нь вафлигуудыг тээвэрлэлтийн явцад нарийн тохируулж, бичил зураас, буруу тохируулга, хэмжилтийн алдааны эрсдлийг бууруулдаг бөгөөд энэ нь 5 нм-ээс доош процессын зангилаануудад улам бүр чухал болж буй хүчин зүйлүүд юм.

SiC керамик төгсгөлийн эффекторын шинж чанарууд

1. Өндөр механик бат бэх ба хатуулаг

SiC керамик нь онцгой механик бат бөх чанартай бөгөөд гулзайлтын бат бэх нь ихэвчлэн 400 МПа-аас давж, Викерсийн хатуулгийн утга нь 2000 HV-ээс дээш байдаг. Энэ нь удаан хугацааны ашиглалтын дараа ч механик стресс, цохилт, элэгдэлд маш тэсвэртэй болгодог. SiC-ийн өндөр хатуулаг нь өндөр хурдтай ваферын дамжуулалтын үед хазайлтыг багасгаж, нарийвчлалтай, давтагдах боломжтой байрлалыг баталгаажуулдаг.

2. Маш сайн дулааны тогтвортой байдал

SiC керамикийн хамгийн үнэ цэнэтэй шинж чанаруудын нэг нь механик бүрэн бүтэн байдлыг алдагдуулахгүйгээр маш өндөр температурыг (ихэвчлэн идэвхгүй агаар мандалд 1600°C хүртэл) тэсвэрлэх чадвар юм. Тэдний дулааны тэлэлтийн бага коэффициент (~4.0 x 10⁻⁶ /K) нь дулааны мөчлөгийн үед хэмжээст тогтвортой байдлыг хангаж, CVD, PVD, өндөр температурт шарах зэрэг хэрэглээнд тохиромжтой болгодог.

SiC керамик төгсгөлийн эффекторын асуулт, хариулт

А: Ваферын төгсгөлийн эффекторт ямар материал ашигладаг вэ?

А:Ваферийн төгсгөлийн эффекторуудыг ихэвчлэн өндөр бат бэх, дулааны тогтвортой байдал, бага хэмжээний бөөмс үүсгэдэг материалаар хийдэг. Эдгээрээс цахиурын карбид (SiC) керамик нь хамгийн дэвшилтэт, илүүд үздэг материалуудын нэг юм. SiC керамик нь маш хатуу, дулааны тогтвортой, химийн хувьд идэвхгүй, элэгдэлд тэсвэртэй тул цэвэр өрөө болон вакуум орчинд нарийн цахиурын вафертай харьцахад тохиромжтой. Кварц эсвэл бүрсэн металлтай харьцуулахад SiC нь өндөр температурт маш сайн хэмжээст тогтвортой байдлыг хангадаг бөгөөд бөөмсийг гадагшлуулдаггүй тул бохирдлоос урьдчилан сэргийлэхэд тусалдаг.