Бүтээгдэхүүн
-
8 инчийн литийн ниобат вафер LiNbO3 LN өрмөнцөр
-
50.8мм 2 инчийн GaN индранил Эпи давхарга өргүүр
-
2 инчийн 50,8 мм индранил хавтан C-Plane M-plane R-plane A-plane Зузаан 350um 430um 500um
-
100мм 4 инчийн GaN дээр Sapphire Epi-layer waffer Gallium nitride epitaxial wafer
-
2 инч 50,8 мм Зузаан 0,1 мм 0,2 мм 0,43 мм индранил хавтан C-онгоц M-онгоц R-онгоц А-онгоц
-
150мм 200мм 6 инч 8 инч GaN цахиурын эпи-давхаргатай вафель Галлиум нитридын эпитаксиаль хавтан
-
8 инчийн 200 мм индранил хавтан зөөгч SSP DSP Зузаан 0,5 мм 0,75 мм
-
Индранил цонх Сапфир шилэн линз Нэг талст Al2O3 материал
-
4 инчийн Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43мм 0.65мм
-
150мм 6 инч 0.7мм 0.5мм индранил хавтанцар зөөгч C-Plane SSP/DSP
-
8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive дамми судалгааны зэрэгтэй
-
12 инчийн Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrate C-Plane SSP/DSP