4 инчийн шилэн дээрх GaN: JGS1, JGS2, BF33, энгийн кварц зэргийг багтаасан тохируулж болох шилний сонголтууд
Онцлогууд
● Өргөн зурвасын зай:GaN нь 3.4 эВ-ийн зурвасын зайтай бөгөөд энэ нь цахиур зэрэг уламжлалт хагас дамжуулагч материалтай харьцуулахад өндөр хүчдэл, өндөр температурын нөхцөлд илүү үр ашигтай, илүү бат бөх байх боломжийг олгодог.
●Тохируулж болох шилэн субстрат:JGS1, JGS2, BF33 болон энгийн кварц шилний сонголтууд нь янз бүрийн дулаан, механик болон оптик гүйцэтгэлийн шаардлагыг хангах боломжтой.
●Өндөр дулаан дамжуулалт:GaN-ийн өндөр дулаан дамжилтын илтгэлцүүр нь дулааны үр дүнтэй тархалтыг баталгаажуулдаг бөгөөд эдгээр хавтан нь эрчим хүчний хэрэглээ болон өндөр дулаан үүсгэдэг төхөөрөмжүүдэд тохиромжтой.
●Өндөр эвдрэлийн хүчдэл:GaN-ийн өндөр хүчдэлийг тэсвэрлэх чадвар нь эдгээр ялтсуудыг цахилгаан транзистор болон өндөр давтамжийн хэрэглээнд тохиромжтой болгодог.
● Маш сайн механик хүч чадал:Шилэн дэвсгэрүүд нь GaN-ийн шинж чанаруудтай хослуулан бат бөх механик бат бөх чанарыг хангаж, хатуу ширүүн орчинд вафельний бат бөх чанарыг сайжруулдаг.
●Үйлдвэрлэлийн зардлыг бууруулсан:Уламжлалт GaN-on-Silicon эсвэл GaN-on-Sapphire хавтантай харьцуулахад GaN-on-glass нь өндөр хүчин чадалтай төхөөрөмжүүдийг их хэмжээгээр үйлдвэрлэхэд илүү хэмнэлттэй шийдэл юм.
●Тохирсон оптик шинж чанарууд:Шилэн янз бүрийн сонголтууд нь вафельны оптик шинж чанарыг өөрчлөх боломжийг олгодог бөгөөд энэ нь оптоэлектроник болон фотоникийн хэрэглээнд тохиромжтой.
Техникийн үзүүлэлтүүд
| Параметр | Үнэ цэнэ |
| Өрөөний хэмжээ | 4 инч |
| Шилэн субстратын сонголтууд | JGS1, JGS2, BF33, Энгийн кварц |
| GaN давхаргын зузаан | 100 нм – 5000 нм (өөрчлөх боломжтой) |
| GaN Bandgap | 3.4 эВ (өргөн зурвасын зай) |
| Эвдрэлийн хүчдэл | 1200 В хүртэл |
| Дулаан дамжуулалт | 1.3 – 2.1 Вт/см·К |
| Электрон хөдөлгөөн | 2000 см²/В·с |
| Ваферын гадаргуугийн тэгш бус байдал | RMS ~0.25 нм (AFM) |
| GaN хуудасны эсэргүүцэл | 437.9 Ом·см² |
| Эсэргүүцэл | Хагас тусгаарлагч, N-төрөл, P-төрөл (захиалах боломжтой) |
| Оптик дамжуулалт | Үзэгдэх ба хэт ягаан туяаны долгионы уртын хувьд >80% |
| Өргөст хэмх | < 25 микрон (хамгийн их) |
| Гадаргуугийн өнгөлгөө | SSP (нэг талт өнгөлсөн) |
Хэрэглээ
Оптоэлектроник:
ГаН-он-шилэн хавтан өргөн хэрэглэгддэгLEDболонлазер диодуудGaN-ийн өндөр үр ашиг, оптик үзүүлэлттэй холбоотой. зэрэг шилэн субстратыг сонгох чадварJGS1болонJGS2оптик ил тод байдлыг өөрчлөх боломжийг олгодог бөгөөд энэ нь өндөр хүч чадал, өндөр гэрэлтэхэд тохиромжтойцэнхэр / ногоон LEDболонХэт ягаан туяаны лазер.
Фотоник:
GaN-on-шилэн хавтан нь хамгийн тохиромжтойфотодетекторууд, фотоник нэгдсэн хэлхээ (PICs), баоптик мэдрэгч. Тэдний маш сайн гэрэл дамжуулах шинж чанар, өндөр давтамжийн хэрэглээнд өндөр тогтвортой байдал нь тэдгээрийг ашиглахад тохиромжтой болгодогхарилцаа холбооболонмэдрэгч технологи.
Эрчим хүчний электроник:
Өргөн зурвасын зай, эвдрэлийн өндөр хүчдэлийн улмаас GaN-on-glass ялтсуудыг ашигладаг.өндөр хүчин чадалтай транзисторуудболонөндөр давтамжийн цахилгаан хувиргалт. GaN-ийн өндөр хүчдэл, дулааны алдагдалыг зохицуулах чадвар нь үүнийг төгс болгодогцахилгаан өсгөгч, RF-ийн цахилгаан транзисторууд, бацахилгаан электроникүйлдвэрлэлийн болон хэрэглээний хэрэглээнд.
Өндөр давтамжийн програмууд:
GaN-on-шилэн хавтан нь маш сайнэлектрон хөдөлгөөнмөн өндөр сэлгэн залгах хурдтай ажиллах боломжтой тул тэдгээрийг ашиглахад тохиромжтойөндөр давтамжийн цахилгаан төхөөрөмж, богино долгионы төхөөрөмж, баRF өсгөгч. Эдгээр нь чухал бүрэлдэхүүн хэсэг юм5G холбооны систем, радарын системүүд, бахиймэл дагуулын холбоо.
Автомашины хэрэглээний програмууд:
Шилэн дээрх GaN хавтангуудыг мөн автомашины эрчим хүчний системд ашигладагсамбар дээрх цэнэглэгч (OBCs)болонDC-DC хувиргагчцахилгаан тээврийн хэрэгсэлд (EV). Өргөст хавтангийн өндөр температур, хүчдэлийг тэсвэрлэх чадвар нь тэдгээрийг цахилгаан машинд зориулсан цахилгаан хэрэгсэлд ашиглах боломжийг олгож, илүү үр ашигтай, найдвартай байдлыг санал болгодог.
Эмнэлгийн хэрэгсэл:
GaN-ийн шинж чанарууд нь үүнийг ашиглахад сонирхолтой материал болгодогэмнэлгийн дүрслэлболонбиоанагаахын мэдрэгч. Өндөр хүчдэлд ажиллах чадвар, цацрагт тэсвэртэй байдал нь түүнийг ашиглахад тохиромжтойоношлогооны тоног төхөөрөмжболонэмнэлгийн лазер.
Асуулт хариулт
Асуулт 1: Шилэн дээрх GaN нь цахиур дээрх GaN эсвэл Sapphire-тэй харьцуулахад яагаад сайн сонголт вэ?
А1:GaN-on-glass нь хэд хэдэн давуу талыг санал болгодогзардлын үр ашигболонилүү сайн дулааны менежмент. GaN-on-Silicon болон GaN-on-Sapphire нь маш сайн гүйцэтгэлтэй байдаг бол шилэн субстрат нь илүү хямд, илүү хялбар, оптик болон механик шинж чанарын хувьд өөрчлөх боломжтой. Нэмж дурдахад, GaN-on-glass хавтан нь хоёуланд нь маш сайн гүйцэтгэлийг хангадагоптикболонөндөр хүчин чадалтай цахим програмууд.
2-р асуулт: JGS1, JGS2, BF33, энгийн кварцын шилний сонголтуудын ялгаа нь юу вэ?
А2:
- JGS1болонJGS2нь сайн чанарын оптик шилэн субстрат юмөндөр оптик ил тод байдалболонбага дулааны тэлэлт, тэдгээрийг фотоник болон оптоэлектроник төхөөрөмжүүдэд хамгийн тохиромжтой болгодог.
- BF33шилэн санал болгож байнаилүү өндөр хугарлын индексзэрэг сайжруулсан оптик гүйцэтгэл шаардсан програмуудад тохиромжтойлазер диодууд.
- Энгийн кварцөндөр хангадагдулааны тогтвортой байдалболонцацрагийн эсэргүүцэл, өндөр температур, хатуу ширүүн орчинд хэрэглэхэд тохиромжтой.
Асуулт 3: Би GaN-on-glass waffers-ийн эсэргүүцэл ба допингийн төрлийг тохируулж болох уу?
А3:Тийм ээ, бид санал болгож байнатохируулж болох эсэргүүцэлболондопингийн төрөл(N-type эсвэл P-type) GaN-on-шилэн хавтан. Энэхүү уян хатан чанар нь хавтангуудыг цахилгаан төхөөрөмж, LED болон фотоник систем зэрэг тодорхой хэрэглээнд тохируулах боломжийг олгодог.
Асуулт 4: Оптоэлектроник дахь GaN-on-glas-ийн ердийн хэрэглээ юу вэ?
А4:Оптоэлектроникт GaN-on-glass хавтангуудыг ихэвчлэн ашигладагцэнхэр, ногоон LED, Хэт ягаан туяаны лазер, бафотодетекторууд. Шилний тохируулж болох оптик шинж чанар нь өндөр түвшний төхөөрөмжүүдийг ашиглах боломжийг олгодоггэрлийн дамжуулалт, тэдгээрийг программуудад тохиромжтой болгодогдэлгэцийн технологи, гэрэлтүүлэг, баоптик холбооны систем.
Асуулт 5: Шилэн дээрх GaN нь өндөр давтамжийн хэрэглээнд хэрхэн ажилладаг вэ?
А5:GaN-on-glass waffers санал болгож байнаэлектроны маш сайн хөдөлгөөн, тэднийг сайн гүйцэтгэх боломжийг олгодогөндөр давтамжийн програмуудгэх мэтRF өсгөгч, богино долгионы төхөөрөмж, ба5G холбооны систем. Тэдний эвдрэлийн өндөр хүчдэл, сэлгэн залгах алдагдал бага зэрэг нь тэдгээрийг ашиглахад тохиромжтойөндөр хүчин чадалтай RF төхөөрөмж.
Асуулт 6: Шилэн хавтан дээрх GaN-ийн ердийн эвдрэлийн хүчдэл хэд вэ?
A6:Шилэн дээрх GaN хавтан нь ихэвчлэн эвдрэлийн хүчдэлийг дэмждэг1200 В, тэдгээрийг тохиромжтой болгохөндөр хүчин чадалтайболонөндөр хүчдэлпрограмууд. Тэдний өргөн зурвасын зай нь цахиур гэх мэт ердийн хагас дамжуулагч материалаас илүү өндөр хүчдэлтэй ажиллах боломжийг олгодог.
Асуулт 7: Шилэн дээрх GaN хавтангуудыг автомашины хэрэглээнд ашиглаж болох уу?
А7:Тиймээ, GaN-on-glass ялтсуудыг ашигладагавтомашины цахилгаан хэрэгсэл, үүндDC-DC хувиргагчболонсамбар дээрх цэнэглэгч(OBCs) цахилгаан тээврийн хэрэгсэлд зориулагдсан. Тэдгээрийн өндөр температурт ажиллах, өндөр хүчдэлд ажиллах чадвар нь эдгээр шаардлагын дагуу ажиллахад тохиромжтой.
Дүгнэлт
Шилэн 4 инчийн вафли дээрх GaN нь оптоэлектроник, цахилгаан электроник, фотоникийн төрөл бүрийн хэрэглээнд зориулсан өвөрмөц бөгөөд өөрчлөх боломжтой шийдлийг санал болгодог. JGS1, JGS2, BF33, энгийн кварц зэрэг шилэн субстратын сонголттой эдгээр вафель нь механик болон оптик шинж чанарын аль алинд нь олон талт байдлыг хангаж, өндөр хүчин чадал, өндөр давтамжийн төхөөрөмжүүдэд тохирсон шийдлүүдийг гаргах боломжийг олгодог. LED, лазер диод эсвэл RF-ийн хэрэглээнд зориулагдсан, GaN-он-шилэн хавтан
Нарийвчилсан диаграмм
