50.8мм 2 инчийн GaN индранил Эпи давхарга өргүүр

50.8мм 2 инч GaN индранил Эпи-давхаргатай вафель Онцлох зураг

Товч тодорхойлолт:

Гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч материалын хувьд галлийн нитрид нь өндөр температурт тэсвэртэй, өндөр нийцтэй, өндөр дулаан дамжуулалт, өргөн зурвасын завсар зэрэг давуу талуудтай.Янз бүрийн субстратын материалын дагуу галлийн нитридын эпитаксиаль хавтанг галлийн нитрид дээр суурилсан галли нитрид, цахиурын карбид дээр суурилсан галлийн нитрид, индранил дээр суурилсан галлийн нитрид, цахиурт суурилсан галлийн нитрид гэсэн дөрвөн төрөлд хувааж болно.Цахиурт суурилсан галлиум нитридын эпитаксиаль хуудас нь үйлдвэрлэлийн өртөг багатай, боловсорч гүйцсэн үйлдвэрлэлийн технологитой хамгийн өргөн хэрэглэгддэг бүтээгдэхүүн юм.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Галийн нитридын GaN эпитаксиаль хуудасны хэрэглээ

Галийн нитридын гүйцэтгэлд үндэслэн галлий нитридын эпитаксиаль чип нь ихэвчлэн өндөр хүч, өндөр давтамж, нам хүчдэлийн хэрэглээнд тохиромжтой.

Энэ нь дараах байдлаар тусгагдсан:

1) Өндөр зурвасын зай: Өндөр зурвасын зай нь галлийн нитридын төхөөрөмжүүдийн хүчдэлийн түвшинг сайжруулж, галлийн арсенидын төхөөрөмжөөс илүү өндөр хүчийг гаргаж чаддаг бөгөөд энэ нь ялангуяа 5G холбооны суурь станц, цэргийн радар болон бусад салбарт тохиромжтой;

2) Хувиргах өндөр үр ашиг: галлий нитрид сэлгэн залгах цахилгаан төхөөрөмжүүдийн эсэргүүцэл нь цахиурын төхөөрөмжөөс 3 дахин бага бөгөөд энэ нь асаалтын алдагдлыг мэдэгдэхүйц бууруулж чадна;

3) Дулаан дамжилтын өндөр: галлийн нитридын өндөр дулаан дамжуулалт нь өндөр хүчин чадал, өндөр температур болон бусад төрлийн төхөөрөмжүүдийг үйлдвэрлэхэд тохиромжтой, дулааныг маш сайн тараах чадвартай болгодог;

4) Эвдрэлийн цахилгаан талбайн хүч: Галлийн нитридын задралын цахилгаан талбайн хүч нь цахиурын нитридынхтэй ойролцоо боловч хагас дамжуулагч процесс, материалын торны таарахгүй байдал болон бусад хүчин зүйлээс шалтгаалан галлийн нитридын төхөөрөмжийн хүчдэлийн хүлцэл нь ихэвчлэн 1000В орчим байдаг ба Аюулгүй хэрэглээний хүчдэл нь ихэвчлэн 650 В-оос бага байдаг.

Зүйл	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Хэмжээ	e 50.8мм ± 0.1мм
Зузаан	4.5±0.5 um		4.5±0.5um
Баримтлал	С-хавтгай(0001) ±0.5°
Дамжуулах төрөл	N-төрөл (Хохиролгүй)	N төрлийн (Si-дэвдүүлсэн)	P-төрөл (Mg-тэй)
Эсэргүүцэл (3O0K)	< 0.5 Q・см	< 0.05 Q・см	~ 10 Q・см
Тээвэрлэгчийн концентраци	< 5x10¹⁷см^-3	> 1x10¹⁸см^-3	> 6x1016 см^-3
Хөдөлгөөнт байдал	~ 300 см²/Vs	~ 200 см²/Vs	~ 10 см²/Vs
Дислокацын нягтрал	5х10-аас бага⁸см^-2(XRD-ийн FWHM-ээр тооцоолсон)
Субстратын бүтэц	Sapphire дээрх GaN(Стандарт: SSP Сонголт: DSP)
Ашиглах боломжтой гадаргуугийн талбай	> 90%
Багц	100-р ангиллын цэвэр өрөөнд, 25 ширхэг кассет эсвэл нэг ширхэг вафель саванд, азотын орчинд савласан.