Бүтээгдэхүүн
-
p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC субстрат 4 инч 〈111〉± 0.5° Тэг MPD
-
SiC субстрат P төрлийн 4H/6H-P 3C-N 4 инч, 350 мм-ийн зузаантай Үйлдвэрлэлийн зэрэг Дамми зэрэг
-
4H/6H-P 6 инчийн SiC хавтан Тэг MPD зэрэглэлийн Үйлдвэрлэлийн зэрэгтэй дамми зэрэг
-
P-type SiC хавтан 4H/6H-P 3C-N 6 инчийн зузаан 350 мкм, анхдагч хавтгай чиглүүлэлттэй
-
Хөнгөн цагааны керамик гар захиалгат Керамик робот гар
-
Sapphire tube KY Method бүх ил тод Тохируулах боломжтой
-
Al2O3 99,999% индранил ир, элэгдэлд тэсвэртэй 38×4,5×0,3 ммт
-
Сапфир иртэй үс шилжүүлэн суулгах мэс заслыг эмнэлгийн зориулалтаар өөрчилж болно
-
Голт борын YAG түүхий эд нунтаг нил ягаан
-
Кварцын индранил BF33 өрмөнцөр дээр ТВГ процесс Шилэн өргүүрийг цоолборлох
-
Нэг болор цахиурын вафер Si субстратын төрөл N/P Нэмэлт цахиурын карбид вафель
-
N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch Өндөр чанарын монокристал, чанар муутай субстрат