HPSI SiC хавтанцар диаметр: 3 инчийн зузаан: Power Electronics-д зориулсан 350um± 25 мкм

HPSI SiC талст ялтсын диаметр: 3 инчийн зузаан: 350um± 25 μm цахилгаан электроникийн онцлох зураг

Богино тайлбар:

HPSI (Өндөр цэвэршилттэй цахиурын карбид) 3 инч диаметртэй, 350 μм ± 25 μм зузаантай SiC хавтанцар нь өндөр гүйцэтгэлтэй субстрат шаарддаг цахилгаан электроникийн хэрэглээнд зориулагдсан. Энэхүү SiC хавтан нь өндөр дулаан дамжуулалт, эвдрэлийн өндөр хүчдэл, ажлын өндөр температурт үр ашгийг санал болгодог бөгөөд энэ нь эрчим хүчний хэмнэлттэй, бат бөх цахилгаан төхөөрөмжүүдийн өсөн нэмэгдэж буй эрэлт хэрэгцээнд хамгийн тохиромжтой сонголт юм. SiC хавтан нь өндөр хүчдэл, өндөр гүйдэл, өндөр давтамжийн хэрэглээнд тохиромжтой бөгөөд уламжлалт цахиурын субстрат нь ашиглалтын шаардлагыг хангаж чадахгүй.
Салбартаа тэргүүлэгч хамгийн сүүлийн үеийн техникийг ашиглан үйлдвэрлэсэн манай HPSI SiC хавтан нь үйлдвэрлэлийн тодорхой шаардлагад нийцүүлэн хэд хэдэн зэрэглэлээр худалдаалагдаж байна. Энэхүү хавтан нь бүтцийн бүрэн бүтэн байдал, цахилгаан шинж чанар, гадаргуугийн чанарыг харуулдаг бөгөөд энэ нь эрчим хүчний хагас дамжуулагч, цахилгаан тээврийн хэрэгсэл (EV), сэргээгдэх эрчим хүчний систем, үйлдвэрлэлийн эрчим хүчний хувиргалт зэрэг эрэлт хэрэгцээтэй хэрэглээнд найдвартай гүйцэтгэлийг хангаж чадна.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Өргөдөл

HPSI SiC ялтсуудыг цахилгаан электроникийн өргөн хүрээний хэрэглээнд ашигладаг, үүнд:

Эрчим хүчний хагас дамжуулагч:SiC хавтангуудыг ихэвчлэн цахилгаан диод, транзистор (MOSFET, IGBT) болон тиристор үйлдвэрлэхэд ашигладаг. Эдгээр хагас дамжуулагчийг үйлдвэрлэлийн хөдөлгүүрийн хөтчүүд, эрчим хүчний хангамж, сэргээгдэх эрчим хүчний системийн инвертер зэрэг өндөр үр ашиг, найдвартай байдал шаарддаг цахилгаан хувиргах хэрэглээнд өргөн ашигладаг.
Цахилгаан тээврийн хэрэгсэл (EV):Цахилгаан тээврийн хэрэгсэлд SiC-д суурилсан цахилгаан төхөөрөмжүүд нь илүү хурдан шилжих хурд, эрчим хүчний хэмнэлт, дулааны алдагдлыг бууруулдаг. SiC бүрэлдэхүүн хэсгүүд нь батерейны удирдлагын систем (BMS), цэнэглэх дэд бүтэц, самбар дээрх цэнэглэгч (OBCs) зэрэгт хэрэглэхэд тохиромжтой бөгөөд жинг багасгаж, эрчим хүч хувиргах үр ашгийг нэмэгдүүлэх нь чухал юм.

Сэргээгдэх эрчим хүчний системүүд:SiC хавтангуудыг нарны инвертер, салхин турбин генератор, эрчим хүч хадгалах системд өндөр үр ашигтай, бат бөх байх нь чухал байдаг зэрэгт улам бүр ашиглаж байна. SiC-д суурилсан бүрэлдэхүүн хэсгүүд нь эдгээр хэрэглээнд илүү өндөр эрчим хүчний нягтрал, сайжруулсан гүйцэтгэлийг идэвхжүүлж, нийт эрчим хүчний хувиргах үр ашгийг сайжруулдаг.

Аж үйлдвэрийн цахилгаан электроникууд:Мотор хөтөч, робот техник, том хэмжээний эрчим хүчний хангамж зэрэг өндөр хүчин чадалтай үйлдвэрлэлийн хэрэглээнд SiC хавтан ашиглах нь үр ашиг, найдвартай байдал, дулааны менежментийн гүйцэтгэлийг сайжруулах боломжийг олгодог. SiC төхөөрөмжүүд нь өндөр сэлгэн залгах давтамж, өндөр температурыг зохицуулж чаддаг тул эрэлт хэрэгцээтэй орчинд тохиромжтой болгодог.

Харилцаа холбоо, дата төвүүд:SiC нь өндөр найдвартай, үр ашигтай эрчим хүчний хөрвүүлэлт чухал байдаг харилцаа холбооны тоног төхөөрөмж, мэдээллийн төвүүдийн тэжээлийн хангамжид ашиглагддаг. SiC-д суурилсан цахилгаан төхөөрөмжүүд нь жижиг хэмжээтэй үед илүү үр ашигтай ажиллах боломжийг олгодог бөгөөд энэ нь эрчим хүчний зарцуулалтыг бууруулж, томоохон хэмжээний дэд бүтцийн хөргөлтийн үр ашгийг нэмэгдүүлдэг.

SiC хавтангийн эвдрэлийн өндөр хүчдэл, бага эсэргүүцэл, маш сайн дулаан дамжуулалт нь эдгээр дэвшилтэт хэрэглээнд хамгийн тохиромжтой субстрат болж, дараагийн үеийн эрчим хүчний хэмнэлттэй цахилгаан хэрэгслийг хөгжүүлэх боломжийг олгодог.

Үл хөдлөх хөрөнгө

Өмч	Үнэ цэнэ
Өрөөний диаметр	3 инч (76.2 мм)
Ваферын зузаан	350 мкм ± 25 мкм
Өрөөний баримжаа	<0001> тэнхлэг дээр ± 0.5°
Микро хоолойн нягтрал (MPD)	≤ 1 см⁻²
Цахилгаан эсэргүүцэл	≥ 1E7 Ω·см
Допант	Хориогүй
Анхан шатны хавтгай чиг баримжаа	{11-20} ± 5.0°
Үндсэн хавтгай урт	32.5 мм ± 3.0 мм
Хоёрдогч хавтгай урт	18.0 мм ± 2.0 мм
Хоёрдогч хавтгай чиг баримжаа	Si дээш харсан: үндсэн хавтгайгаас 90° CW ± 5.0°
Ирмэгийг хасах	3 мм
LTV/TTV/Num/Warp	3 мкм / 10 мкм / ±30 μм / 40 μм
Гадаргуугийн барзгар байдал	C нүүр: Өнгөлсөн, Si нүүр: CMP
Хагарал (өндөр эрчимтэй гэрлээр шалгана)	Байхгүй
Hex хавтан (өндөр эрчимтэй гэрлээр шалгасан)	Байхгүй
Политипийн талбай (өндөр эрчимтэй гэрлээр шалгасан)	Хуримтлагдсан талбай 5%
Зураас (өндөр эрчимтэй гэрлээр шалгасан)	≤ 5 зураас, хуримтлагдсан урт ≤ 150 мм
Ирмэгийн зүсэлт	≥ 0.5 мм өргөн ба гүнийг зөвшөөрөхгүй
Гадаргуугийн бохирдол (өндөр эрчимтэй гэрлээр шалгасан)	Байхгүй

Гол ашиг тус

Өндөр дулаан дамжуулалт:SiC ялтсууд нь дулааныг гадагшлуулах онцгой чадвараараа алдартай бөгөөд энэ нь цахилгаан төхөөрөмжүүдэд илүү өндөр үр ашигтай ажиллаж, хэт халалтгүйгээр өндөр гүйдлийг зохицуулах боломжийг олгодог. Энэ онцлог нь дулааны менежмент нь ихээхэн сорилт болдог цахилгаан электроникийн хувьд маш чухал юм.
Өндөр эвдрэлийн хүчдэл:SiC-ийн өргөн зурвасын зай нь төхөөрөмжүүдэд илүү өндөр хүчдэлийг тэсвэрлэх боломжийг олгодог бөгөөд энэ нь цахилгаан сүлжээ, цахилгаан машин, үйлдвэрлэлийн машин зэрэг өндөр хүчдэлийн хэрэглээнд тохиромжтой.
Өндөр бүтээмж:Өндөр сэлгэн залгах давтамж, бага эсэргүүцэлтэй хослуулсан нь эрчим хүчний алдагдал багатай төхөөрөмжүүдийг бий болгож, эрчим хүчний хувиргалтын ерөнхий үр ашгийг дээшлүүлж, хөргөлтийн нарийн төвөгтэй системийн хэрэгцээг бууруулдаг.
Хэцүү орчинд найдвартай байдал:SiC нь өндөр температурт (600 ° C хүртэл) ажиллах чадвартай бөгөөд энэ нь цахиурт суурилсан уламжлалт төхөөрөмжийг гэмтээж болзошгүй орчинд ашиглахад тохиромжтой.
Эрчим хүчний хэмнэлт:SiC эрчим хүчний төхөөрөмжүүд нь эрчим хүчний хувиргалтын үр ашгийг сайжруулдаг бөгөөд энэ нь эрчим хүчний хэрэглээг бууруулахад чухал ач холбогдолтой, ялангуяа үйлдвэрлэлийн цахилгаан хувиргагч, цахилгаан тээврийн хэрэгсэл, сэргээгдэх эрчим хүчний дэд бүтэц зэрэг томоохон системүүдэд чухал ач холбогдолтой юм.