8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive дамми судалгааны зэрэгтэй

8 инчийн 200мм 4H-N SiC өрлөгийн дамжуулагч дамми судалгааны зэрэгтэй Онцлох зураг

Богино тайлбар:

Зам тээвэр, эрчим хүч, аж үйлдвэрийн зах зээл хөгжихийн хэрээр найдвартай, өндөр хүчин чадалтай цахилгаан хэрэгслийн эрэлт нэмэгдсээр байна. Хагас дамжуулагчийн гүйцэтгэлийг сайжруулах хэрэгцээг хангахын тулд төхөөрөмж үйлдвэрлэгчид манай 4H n төрлийн цахиурын карбид (SiC) хавтан зэрэг өргөн хүрээтэй хагас дамжуулагч материалыг хайж байна.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Өвөрмөц физик болон электрон шинж чанараараа 200 мм-ийн SiC хавтанцар хагас дамжуулагч материалыг өндөр хүчин чадалтай, өндөр температурт, цацрагт тэсвэртэй, өндөр давтамжийн электрон төхөөрөмж бүтээхэд ашигладаг. Технологи илүү дэвшилтэт болж, эрэлт хэрэгцээ нэмэгдэхийн хэрээр 8 инчийн SiC субстратын үнэ аажмаар буурч байна. Сүүлийн үеийн технологийн хөгжил нь 200 мм-ийн SiC хавтанцар үйлдвэрлэхэд хүргэж байна. Si ба GaAs хавтантай харьцуулахад SiC хавтанцар хагас дамжуулагч материалын гол давуу талууд: Нуранги нуралтын үед 4H-SiC-ийн цахилгаан талбайн хүч нь Si ба GaAs-ийн харгалзах утгаас хэд дахин их байна. Энэ нь төлөвийн эсэргүүцлийн Рон мэдэгдэхүйц буурахад хүргэдэг. Төрийн бага эсэргүүцэл нь өндөр гүйдлийн нягтрал ба дулаан дамжилтын илтгэлцүүртэй хослуулан эрчим хүчний төхөөрөмжүүдэд маш бага хэмжээтэй хэмжүүр ашиглах боломжийг олгодог. SiC-ийн өндөр дулаан дамжуулалт нь чипийн дулааны эсэргүүцлийг бууруулдаг. SiC хавтан дээр суурилсан төхөөрөмжүүдийн электрон шинж чанар нь цаг хугацааны явцад маш тогтвортой, температурын хувьд тогтвортой байдаг нь бүтээгдэхүүний өндөр найдвартай байдлыг баталгаажуулдаг. Цахиурын карбид нь хатуу цацрагт маш тэсвэртэй тул чипийн электрон шинж чанарыг алдагдуулдаггүй. Кристалын ажлын өндөр хязгаарлагдмал температур (6000С-аас дээш) нь хатуу ширүүн үйл ажиллагааны нөхцөл, тусгай хэрэглээнд зориулагдсан өндөр найдвартай төхөөрөмжийг бий болгох боломжийг олгодог. Одоогийн байдлаар бид 200 ммSiC хэмжээтэй жижиг багцыг тогтмол, тасралтгүй нийлүүлж, агуулахад тодорхой хэмжээний нөөцтэй байна.

Тодорхойлолт

Тоо	Зүйл	Нэгж	Үйлдвэрлэл	Судалгаа	Дамми
1. Параметрүүд
1.1	политип	--	4H	4H	4H
1.2	гадаргуугийн чиг баримжаа	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2. Цахилгааны параметр
2.1	допант	--	n төрлийн азот	n төрлийн азот	n төрлийн азот
2.2	эсэргүүцэл	ом ·см	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3. Механик үзүүлэлт
3.1	диаметр	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	зузаан	мкм	500±25	500±25	500±25
3.3	Ховилын чиг баримжаа	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Ховилын гүн	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	мкм	≤5(10мм*10мм)	≤5(10мм*10мм)	≤10(10мм*10мм)
3.6	TTV	мкм	≤10	≤10	≤15
3.7	Нум	мкм	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Муухай	мкм	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. Бүтэц
4.1	бичил хоолойн нягт	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	металлын агууламж	атом/см2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Эерэг чанар
5.1	урд	--	Si	Si	Si
5.2	гадаргуугийн өнгөлгөө	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	бөөмс	ea/wafer	≤100(хэмжээ≥0.3μм)	NA	NA
5.4	зураас	ea/wafer	≤5,Нийт урт≤200мм	NA	NA
5.5	Ирмэг чипс / догол / ан цав / толбо / бохирдол	--	Байхгүй	Байхгүй	NA
5.6	Политип талбайнууд	--	Байхгүй	Талбай ≤10%	Талбай ≤30%
5.7	урд талын тэмдэглэгээ	--	Байхгүй	Байхгүй	Байхгүй
6. Арын чанар
6.1	арын дуусгах	--	С нүүртэй УИХ-ын гишүүн	С нүүртэй УИХ-ын гишүүн	С нүүртэй УИХ-ын гишүүн
6.2	зураас	mm	NA	NA	NA
6.3	Арын гажиг ирмэг чипс/догол	--	Байхгүй	Байхгүй	NA
6.4	Нурууны барзгар байдал	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Буцах тэмдэглэгээ	--	Ховил	Ховил	Ховил
7. Ирмэг
7.1	ирмэг	--	Хагархай	Хагархай	Хагархай
8. Багц
8.1	сав баглаа боодол	--	Вакуумаар эпи-бэлэн сав баглаа боодол	Вакуумаар эпи-бэлэн сав баглаа боодол	Вакуумаар эпи-бэлэн сав баглаа боодол
8.2	сав баглаа боодол	--	Олон төрлийн вафель кассет сав баглаа боодол	Олон төрлийн вафель кассет сав баглаа боодол	Олон төрлийн вафель кассет сав баглаа боодол