3 инчийн SiC суурь үйлдвэрлэлийн диаметр 76.2мм 4H-N

3 инчийн цахиурын карбидын мозефет вафлины гол онцлогууд нь дараах байдалтай байна.

Цахиурын карбид (SiC) нь өндөр дулаан дамжуулалт, электроны өндөр хөдөлгөөн, задралын цахилгаан орны өндөр хүч чадлаар тодорхойлогддог өргөн зурвасын завсартай хагас дамжуулагч материал юм. Эдгээр шинж чанарууд нь SiC вафлийг өндөр хүчин чадал, өндөр давтамж, өндөр температурын хэрэглээнд онцгой болгодог. Ялангуяа 4H-SiC политипийн талст бүтэц нь маш сайн электрон гүйцэтгэлийг хангадаг тул цахилгаан электрон төхөөрөмжүүдийн сонголт болдог.

3 инчийн цахиурын карбид 4H-N вафли нь N хэлбэрийн цахилгаан дамжуулах чадвартай азотоор хольсон вафли юм. Энэхүү холих арга нь вафлид илүү өндөр электрон концентрацийг өгч, улмаар төхөөрөмжийн цахилгаан дамжуулах чадварыг сайжруулдаг. 3 инч (76.2 мм диаметртэй) вафлины хэмжээ нь хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд түгээмэл хэрэглэгддэг хэмжээс бөгөөд янз бүрийн үйлдвэрлэлийн процесст тохиромжтой.

3 инчийн цахиурын карбид 4H-N вафлийг Физик уурын тээвэрлэлт (PVT) аргаар үйлдвэрлэдэг. Энэ процесс нь SiC нунтагыг өндөр температурт дан талст болгон хувиргаж, вафлийн талстын чанар, жигд байдлыг хангахыг шаарддаг. Нэмж дурдахад, вафийн зузаан нь ихэвчлэн 0.35 мм орчим байдаг бөгөөд гадаргууг нь маш өндөр түвшний тэгш, гөлгөр болгохын тулд хоёр талт өнгөлгөөнд оруулдаг бөгөөд энэ нь дараагийн хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн процесст чухал ач холбогдолтой юм.

3 инчийн цахиурын карбид 4H-N вафлийн хэрэглээний хүрээ нь өндөр хүчин чадалтай электрон төхөөрөмж, өндөр температурын мэдрэгч, RF төхөөрөмж, оптоэлектроник төхөөрөмж зэрэг өргөн хүрээтэй. Маш сайн гүйцэтгэл, найдвартай байдал нь эдгээр төхөөрөмжийг хэт хүнд нөхцөлд тогтвортой ажиллуулах боломжийг олгодог бөгөөд орчин үеийн электроникийн үйлдвэрлэлийн өндөр хүчин чадалтай хагас дамжуулагч материалын эрэлтийг хангадаг.

Бид 4H-N 3 инчийн SiC суурь, янз бүрийн зэрэглэлийн суурьтай вафли нийлүүлж чадна. Мөн таны хэрэгцээнд нийцүүлэн захиалга өгөх боломжтой. Хүсэлтийг тавтай морилно уу!