2 инч 50.8мм зузаан 0.1мм 0.2мм 0.43мм Sapphire Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane

2 инч 50.8мм зузаан 0.1мм 0.2мм 0.43мм индранил вафли C-хавтгай M-хавтгай R-хавтгай A-хавтгай Онцлох зураг

Товч тайлбар:

Саффир бол физик, химийн болон оптик шинж чанаруудын өвөрмөц хослол бөгөөд өндөр температур, дулааны цочрол, ус, элсний элэгдэл, зураасанд тэсвэртэй болгодог.

Бидэнд имэйл илгээх

Онцлог шинж чанарууд

Дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Саффир болорыг хагас дамжуулагч (MOCVD галлий нитридийн эпитакси субстрат), цаг, анагаах ухаан, харилцаа холбоо, лазер, хэт улаан туяаны, электроник, хэмжих хэрэгсэл, цэрэг, сансар судлал болон бусад олон дэвшилтэт өндөр технологийн салбарт өргөн ашигладаг. Манай компани ≧0.1 мм зузаантай, ≧Φ1 инчийн гаднах хэмжээстэй өндөр нарийвчлалтай сафир хавтанг удаан хугацаанд үйлдвэрлэдэг. Уламжлалт Φ2", Φ3", Φ4", Φ6", Φ8", Φ12"-ээс гадна бусад хэмжээг өөрчлөх боломжтой тул манай борлуулалтын ажилтнуудтай холбогдоно уу.

Хэмжээ: 2 инч, 3 инч, 4 инч, 6 инч, 8 инч, 12 инч

Зузаан: 100мм, 280мм, 300мм, 350мм, 430мм, 500мм, 650мм, 1мм эсвэл бусад

Чиглэл: C тэнхлэг, M тэнхлэг, R тэнхлэг, A тэнхлэг. C тэнхлэгийг буруу тайрч, A эсвэл бусад

Гадаргуу: SSP, DSP, Нунтаглах

Тайлбар: Сапфир бол хөнгөнцагааны дан талст бөгөөд байгальд алмаазны дараа ордог хоёр дахь хатуу материал юм. Сапфир нь сайн гэрэл дамжуулалттай, өндөр бат бэхтэй, мөргөлдөөнд тэсвэртэй, элэгдэлд тэсвэртэй, зэврэлтэд тэсвэртэй, өндөр температур, даралтад тэсвэртэй, био нийцтэй, янз бүрийн хэлбэртэй объект хийж чаддаг. Энэ нь хагас дамжуулагч оптоэлектроник төхөөрөмж хийхэд тохиромжтой суурь материал юм.

Хэрэглээ: Сафирын дан талст нь маш сайн олон үйлдэлт материал юм. Үүнийг аж үйлдвэр, батлан хамгаалах, шинжлэх ухааны судалгаа (өндөр температурт тэсвэртэй хэт улаан туяаны цонх гэх мэт) зэрэг олон салбарт өргөн ашиглаж болно. Үүний зэрэгцээ энэ нь өргөн хэрэглэгддэг дан талст субстрат материал юм. Энэ нь одоогийн цэнхэр, нил ягаан, цагаан гэрэл ялгаруулах диод (LED) болон цэнхэр лазер (LD) үйлдвэрлэлийн хувьд илүүд үздэг субстрат юм (сафирын субстрат дээр галлийн нитридийн хальсны давхаргыг эпитакси хийх шаардлагатай), мөн чухал хэт дамжуулагч нимгэн хальсан субстрат юм. Y цуврал, La цуврал болон бусад өндөр температурт хэт дамжуулагч хальс үйлдвэрлэхээс гадна шинэ практик MgB2 (магнийн диборид) хэт дамжуулагч хальс ургуулахад ашиглаж болно.