Тоног төхөөрөмжид зориулсан CVD SiC бүрээстэй SiC керамик тавиур хавтан бал чулуу

Цахиурын карбидын керамикийг зөвхөн эпитакси эсвэл MOCVD гэх мэт нимгэн хальсан тунадасжуулалтын үе шатанд, эсвэл вафли боловсруулахад ашигладаггүй бөгөөд үүний гол цөм нь MOCVD-ийн вафли тээгч тавиуруудыг эхлээд тунадасжуулалтын орчинд оруулдаг тул дулаан болон зэврэлтэнд маш тэсвэртэй байдаг. SiC бүрсэн тээгч нь мөн өндөр дулаан дамжуулалттай бөгөөд маш сайн дулаан тархалтын шинж чанартай байдаг.

Цэвэр химийн уурын хуримтлалын цахиурын карбид (CVD SiC) өндөр температурт металл органик химийн уурын хуримтлал (MOCVD) боловсруулах зориулалттай вафли тээвэрлэгч.

Цэвэр CVD SiC вафли тээгч нь энэ процесст ашиглагддаг уламжлалт вафли тээгчээс хамаагүй илүү бөгөөд эдгээр нь графит бөгөөд CVD SiC давхаргаар бүрсэн байдаг. Эдгээр бүрсэн графит суурьтай тээгч нь өнөөгийн өндөр тод цэнхэр, цагаан LED-ийн GaN тунадасжилтад шаардлагатай өндөр температурыг (1100-1200 хэм) тэсвэрлэх чадваргүй. Өндөр температур нь бүрхүүлд жижиг нүх үүсэхэд хүргэдэг бөгөөд энэ нь процессын химийн бодисууд доорх графитыг элэгдэлд оруулдаг. Дараа нь графитын хэсгүүд хальсалж, GaN-ийг бохирдуулж, бүрсэн вафли тээгчийг солиход хүргэдэг.

CVD SiC нь 99.999% ба түүнээс дээш цэвэршилттэй бөгөөд өндөр дулаан дамжуулалт болон дулааны цохилтод тэсвэртэй. Тиймээс өндөр гэрэлтэй LED үйлдвэрлэлийн өндөр температур болон хатуу ширүүн орчинд тэсвэртэй. Энэ нь онолын нягтралд хүрсэн, хамгийн бага тоосонцор үүсгэдэг, маш өндөр зэврэлт болон элэгдэлд тэсвэртэй хатуу цул материал юм. Энэ материал нь металл хольц оруулахгүйгээр тунгалаг чанар болон дамжуулах чадварыг өөрчилж чаддаг. Вафли тээгч нь ихэвчлэн 17 инч диаметртэй бөгөөд 40 хүртэлх 2-4 инчийн вафлиг багтааж чаддаг.