1600℃ температурт цахиурын карбидын синтезийн зууханд өндөр цэвэршилттэй SiC түүхий эдийг үйлдвэрлэх CVD арга

1600℃ температурт цахиурын карбидын синтезийн зууханд өндөр цэвэршилттэй SiC түүхий эдийг гарган авах CVD арга Онцлох зураг

Товч тайлбар:

Цахиурын карбид (SiC) синтезийн зуух (CVD). Энэ нь химийн ууршуулах тунадасжуулалт (CVD) технологийг ашиглан ₄ хийн цахиурын эх үүсвэрийг (жишээ нь SiH₄, SiCl₄) нүүрстөрөгчийн эх үүсвэртэй (жишээ нь C₃H₈, CH₄) урвалд оруулдаг өндөр температурын орчинд гаргаж авдаг. Өндөр цэвэршилттэй цахиурын карбидын талстыг суурь дээр (бал чулуу эсвэл SiC үр) ургуулах гол төхөөрөмж юм. Энэ технологийг голчлон цахилгаан хагас дамжуулагч (MOSFET, SBD гэх мэт) үйлдвэрлэх гол процессын тоног төхөөрөмж болох SiC дан талст суурь (4H/6H-SiC) бэлтгэхэд ашигладаг.

Бидэнд имэйл илгээх

Онцлог шинж чанарууд

Үйл ажиллагааны зарчим:

1. Урьдчилсан хангамж. Цахиурын эх үүсвэр (жишээ нь SiH₄) болон нүүрстөрөгчийн эх үүсвэр (жишээ нь C₃H₈) хийг пропорциональ байдлаар хольж, урвалын камерт оруулна.

2. Өндөр температурт задрал: 1500~2300℃ өндөр температурт хийн задрал нь Si болон C идэвхтэй атомуудыг үүсгэдэг.

3. Гадаргуугийн урвал: Si ба C атомууд нь суурь гадаргуу дээр хуримтлагдаж, SiC талст давхарга үүсгэдэг.

4. Кристал өсөлт: Температурын градиент, хийн урсгал болон даралтыг хянах замаар c тэнхлэг эсвэл a тэнхлэгийн дагуу чиглэлтэй өсөлтийг бий болгоно.

Гол параметрүүд:

· Температур: 1600~2200℃ (4H-SiC-ийн хувьд >2000℃)

· Даралт: 50~200мбар (хийн цөм үүсэхийг багасгахын тулд бага даралттай)

· Хийн харьцаа: Si/C≈1.0~1.2 (Si эсвэл C баяжуулалтын согогоос зайлсхийхийн тулд)

Үндсэн онцлогууд:

(1) Кристал чанар
Согогийн нягтрал бага: микротубулын нягтрал < 0.5см ⁻², мултрал нягтрал <10⁴см⁻².

Поликристалл төрлийн хяналт: 4H-SiC (ерөнхий), 6H-SiC, 3C-SiC болон бусад талст төрлүүдийг ургуулж болно.

(2) Тоног төхөөрөмжийн гүйцэтгэл
Өндөр температурын тогтвортой байдал: бал чулуун индукцийн халаалт эсвэл эсэргүүцлийн халаалт, температур > 2300℃.

Нэгдмэл байдлын хяналт: температурын хэлбэлзэл ±5℃, өсөлтийн хурд 10~50μm/цаг.

Хийн систем: Өндөр нарийвчлалтай массын урсгал хэмжигч (MFC), хийн цэвэршилт ≥99.999%.

(3) Технологийн давуу талууд
Өндөр цэвэршилт: Суурь хольцын агууламж <10¹⁶ см⁻³ (N, B гэх мэт).

Том хэмжээтэй: 6 "/8" SiC субстратын өсөлтийг дэмжинэ.

(4) Эрчим хүчний хэрэглээ ба өртөг
Өндөр эрчим хүчний хэрэглээ (зуух тутамд 200~500кВт·ц), SiC суурь материалын үйлдвэрлэлийн өртгийн 30%~50%-ийг эзэлдэг.

Үндсэн хэрэглээ:

1. Цахилгаан хагас дамжуулагч суурь: Цахилгаан тээврийн хэрэгсэл болон фотоэлектрик инвертер үйлдвэрлэхэд зориулсан SiC MOSFET.

2. Rf төхөөрөмж: 5G суурь станц GaN-on-SiC эпитаксиал суурь.

3. Хэт их орчны төхөөрөмжүүд: сансар судлалын болон цөмийн цахилгаан станцуудад зориулсан өндөр температурын мэдрэгч.

Техникийн үзүүлэлт:

Тодорхойлолт	Дэлгэрэнгүй мэдээлэл
Хэмжээ (Урт × Өргөн × Өндөр)	4000 x 3400 x 4300 мм эсвэл өөрчлөх боломжтой
Зуухны камерын диаметр	1100 мм
Ачаалах багтаамж	50кг
Вакуумын хязгаарын зэрэг	10-2Па (молекулын шахуурга эхэлснээс хойш 2 цагийн дараа)
Танхимын даралтын өсөлтийн хурд	≤10Па/цаг (кальцинжуулсны дараа)
Доод зуухны тагийг өргөх хөдөлгөөн	1500мм
Халаалтын арга	Индукцийн халаалт
Зуухны хамгийн их температур	2400°C
Халаалтын цахилгаан хангамж	2X40кВт
Температурын хэмжилт	Хоёр өнгийн хэт улаан туяаны температурын хэмжилт
Температурын хүрээ	900~3000℃
Температурын хяналтын нарийвчлал	±1°C
Хяналтын даралтын хүрээ	1~700мбар
Даралтын хяналтын нарийвчлал	1~5мбар ±0.1мбар; 5~100мбар ±0.2мбар; 100~700мбар ±0.5мбар
Ачаалах арга	Бага ачаалалтай;
Нэмэлт тохиргоо	Давхар температур хэмжих цэг, ачигчийг буулгах.

XXKH үйлчилгээ:

XKH нь цахиурын карбидын CVD зууханд тоног төхөөрөмжийн тохируулга (температурын бүсийн зураг төсөл, хийн системийн тохиргоо), процессын хөгжил (талст хяналт, согогийн оновчлол), техникийн сургалт (ашиглалт ба засвар үйлчилгээ) болон борлуулалтын дараах дэмжлэг (гол эд ангийн сэлбэг хэрэгсэл нийлүүлэх, алсаас оношлох) зэрэг бүрэн мөчлөгийн үйлчилгээ үзүүлдэг бөгөөд үйлчлүүлэгчдэд өндөр чанартай SiC суурь массын үйлдвэрлэлд хүрэхэд нь тусалдаг. Мөн талст гарц болон өсөлтийн үр ашгийг тасралтгүй сайжруулахын тулд процессын шинэчлэлтийн үйлчилгээ үзүүлдэг.