Аж үйлдвэрийн мэдээ
-
Лазер зүсэх нь ирээдүйд 8 инчийн цахиурын карбидыг огтлох гол технологи болно. Асуулт хариултын цуглуулга
Асуулт: SiC өрмөнцөр зүсэх, боловсруулахад ашигладаг гол технологи нь юу вэ? Х: Цахиурын карбид (SiC) нь хатуулагаараа алмазаас хойш хоёрдугаарт ордог бөгөөд маш хатуу, хэврэг материал гэж тооцогддог. Ургасан талстыг нимгэн талст болгон хэрчиж зүсэх үйл явц нь цаг хугацаа их шаарддаг бөгөөд өртөмтгий байдаг ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
SiC Wafer боловсруулах технологийн өнөөгийн байдал ба чиг хандлага
Гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч субстратын материалын хувьд цахиурын карбид (SiC) дан болор нь өндөр давтамжийн болон өндөр хүчин чадалтай электрон төхөөрөмжүүдийн үйлдвэрлэлд өргөн хэрэглээний хэтийн төлөвтэй байдаг. SiC боловсруулах технологи нь өндөр чанартай субстрат үйлдвэрлэхэд шийдвэрлэх үүрэг гүйцэтгэдэг ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Гурав дахь үеийн хагас дамжуулагчийн мандаж буй од: Галлийн нитрид ирээдүйд хэд хэдэн шинэ өсөлтийн цэгүүд
Цахиурын карбидын төхөөрөмжтэй харьцуулахад галлийн нитридын цахилгаан төхөөрөмжүүд нь үр ашиг, давтамж, эзэлхүүн болон бусад цогц үзүүлэлтүүдийг нэгэн зэрэг шаарддаг хувилбаруудад илүү давуу талтай байх болно, тухайлбал галлийн нитрид дээр суурилсан төхөөрөмжүүд амжилттай хэрэглэгдэж байна ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Дотоодын ГаН үйлдвэрлэлийн хөгжил хурдацтай явагдаж байна
Галийн нитрид (GaN) цахилгаан төхөөрөмжийн хэрэглээ эрс нэмэгдэж байгаа бөгөөд үүнийг Хятадын хэрэглээний цахилгаан бараа үйлдвэрлэгчид тэргүүлж байгаа бөгөөд цахилгаан эрчим хүчний GaN төхөөрөмжүүдийн зах зээл 2021 онд 126 сая доллар байсан бол 2027 он гэхэд 2 тэрбум долларт хүрэх төлөвтэй байна. Одоогийн байдлаар хэрэглээний электроникийн салбар нь галлиумын гол хөдөлгөгч хүч болоод байна...Дэлгэрэнгүй уншина уу